大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审敬请届时光临是什么意思，万望届时光临是什么意思查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīn敬请届时光临是什么意思，万望届时光临是什么意思g)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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