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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》特仑苏真比一般牛奶好吗，特仑苏纯牛奶真假对比等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micro特仑苏真比一般牛奶好吗，特仑苏纯牛奶真假对比n）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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