大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn氯化钾相对原子质量是多少，)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(氯化钾相对原子质量是多少，rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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