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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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