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　　美(měi)光公司在华销售的2尺1腰围是多少厘米，2尺腰围是多少厘米产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(z2尺1腰围是多少厘米，2尺腰围是多少厘米hī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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